Samsung đã ra thông báo cho biết họ vừa bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ flash loại Vertical NAND (V-NAND) 3D đầu tiên trên thế giới.
Loại V-NAND 3D nói trên được hứa hẹn sẽ phá vỡ giới hạn dung lượng nhớ hiện tại của công nghệ flash NAND phổ biến.
Theo nhận định của giới chuyên gia thì bước tiến đột phá kể trên sẽ cho phép những chip đơn trên smartphone có thể hỗ trợ dung lượng nhớ tới 384GB, nhờ Samsung xếp chồng tới 24 lớp bộ nhớ 16GB trong một chip mà không gây ảnh hưởng nhiều tới kích cỡ.
Hiện giờ, người dùng smartphone đang có xu hướng tiêu thụ mạnh nội dung số tốn nhiều dung lượng như nhạc, phim HD.
Do đó, với khả năng mở rộng bộ nhớ đáng kể như trên, hãng công nghệ Hàn Quốc hoàn toàn có lý do để trông đợi ở thành công tương lai, với điểm ưu việt rất khác biệt so với những đối thủ khác./.
Loại V-NAND 3D nói trên được hứa hẹn sẽ phá vỡ giới hạn dung lượng nhớ hiện tại của công nghệ flash NAND phổ biến.
Theo nhận định của giới chuyên gia thì bước tiến đột phá kể trên sẽ cho phép những chip đơn trên smartphone có thể hỗ trợ dung lượng nhớ tới 384GB, nhờ Samsung xếp chồng tới 24 lớp bộ nhớ 16GB trong một chip mà không gây ảnh hưởng nhiều tới kích cỡ.
Hiện giờ, người dùng smartphone đang có xu hướng tiêu thụ mạnh nội dung số tốn nhiều dung lượng như nhạc, phim HD.
Do đó, với khả năng mở rộng bộ nhớ đáng kể như trên, hãng công nghệ Hàn Quốc hoàn toàn có lý do để trông đợi ở thành công tương lai, với điểm ưu việt rất khác biệt so với những đối thủ khác./.
Nguyễn Sáu
