Samsung trình làng bộ nhớ flash NAND 64GB 20nm

Bộ nhớ flash NAND mới này sử dụng 8GB trên mỗi chip và Toggle DDR, công nghệ tạo ra tốc độ lớn hơn cho các thiết bị nhớ RAM flash.

Samsung đang sản xuất bộ nhớ flash NAND 3bit 64GB dựa trên công nghệ 20nm, đẩy nhanh quá trình phát triển bộ nhớ với việc chính thức sản xuất các thiết bị lưu trữ 64GB sau khi chỉ mới bắt tay vào sản xuất các bộ nhớ 32GB 20nm hồi tháng Tư vừa qua.

Apple sử dụng rộng rãi bộ nhớ flash của Samsung trong các thiết bị sử dụng hệ điều hành iOS của họ như AppleTV, iPod Touch và iPad, dẫn đến những đồn đoán rằng các phiên bản nâng cấp hoặc những thiết bị iOS trong tương lai có thể được trang bị dung lương lưu trữ lớn hơn trong khi vẫn giữ nguyên các mức chi phí.

Bước phát triển này tăng gấp hai lần dung lượng bộ nhớ flash 32GB 3bit trong khi tăng năng suất 60% so với các thiết bị 32GB được sản xuất trên công nghệ 30nm mà Samsung giới thiệu chỉ một năm trước.

Bộ nhớ flash NAND mới này sử dụng 8GB trên mỗi chip (so với 4GB trước đây), và Toggle DDR, công nghệ tạo ra tốc độ lớn hơn cho các thiết bị nhớ RAM flash.

Samsung sản xuất khoảng 40% các bộ nhớ flash NAND trên thế giới và Apple đặt mua những số lượng lớn để đáp ứng nhu cầu ngày càng cao của "đế chế" iOS.

Các chip nhớ flash này cũng được sử dụng nhiều trong các ổ cứng SSD, smartphone và cả thẻ nhớ SD./.

Huy Lê (Vietnam+)