Phòng thí nghiệm Nano của Đài Loan (Trung Quốc) vừa nghiên cứu chế tạo bộ nhớ điện trở R-RAM có kích thước 9nm, được cho là bộ nhớ có kích thước nhỏ nhất trên thế giới.
Trong trường hợp hầu như không tiêu hao điện, ở phạm vi diện tích 1cm2, bộ nhớ điện trở R-RAM có thể lưu trữ được số liệu bằng chữ của một thư viện, dung lượng tăng gấp 20 lần so với bộ nhớ flash hiện nay.
Kết quả nghiên cứu trên đã được giới thiệu tại Hội nghị linh kiện điện tử quốc tế, tổ chức ở San Francisco (Mỹ) ngày 8/12.
Dự kiến trong vòng 5 đến 10 năm tới công nghệ này sẽ được sản xuất đại trà./.
Trong trường hợp hầu như không tiêu hao điện, ở phạm vi diện tích 1cm2, bộ nhớ điện trở R-RAM có thể lưu trữ được số liệu bằng chữ của một thư viện, dung lượng tăng gấp 20 lần so với bộ nhớ flash hiện nay.
Kết quả nghiên cứu trên đã được giới thiệu tại Hội nghị linh kiện điện tử quốc tế, tổ chức ở San Francisco (Mỹ) ngày 8/12.
Dự kiến trong vòng 5 đến 10 năm tới công nghệ này sẽ được sản xuất đại trà./.
Ngọc Thúy (Vietnam+)
